晶體管造句,用晶體管造句

(1) 由BIMOS型運(yùn)放和VMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的巧妙配合，使儀器具有很高的精度和很好的性能。

(2) 這一現(xiàn)象可用來(lái)判別雙極晶體管結(jié)溫分布的不均勻性。

(3) 采用標(biāo)準(zhǔn)分立雙極元件，對(duì)雙極晶體管瞬態(tài)輻射光電流分流補(bǔ)償法進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

(4) 這是一臺(tái)最新式晶體管收音機(jī)。

(5) 阻容晶體管邏輯電路。

(6) 結(jié)晶裝置，結(jié)晶方法，薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管和顯示裝置。

(7) 存儲(chǔ)元件的第一端子和第二端子只有一個(gè)電連接于單極晶體管。

(8) 該原子的表現(xiàn)正如一個(gè)量子光學(xué)晶體管，能持續(xù)控制流入光腔的光。

(9) 光電晶體管。集電極發(fā)射極電壓30V的集電極發(fā)射極電壓為5V功耗75毫瓦。

(10) 我們所研究的晶體管都是把電流饋入發(fā)射極.

(11) 我們戴手表，用相機(jī)拍照片，看地圖找路，聽(tīng)晶體管收音機(jī)，而你們用一部手機(jī)可以做以上所有的事。

(12) 對(duì)雙極晶體管進(jìn)行了不同劑量率、不同偏置的電離輻照實(shí)驗(yàn)。

(13) 其內(nèi)部只不過(guò)是一串串極為普通的金屬線和晶體管，但外觀上卻使人不敢等閑視之。

(14) 只有一個(gè)外部晶體管所需的變?nèi)荻�極管，線路驅(qū)動(dòng)。

(15) 對(duì)雙極晶體管結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性能參數(shù)進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了流片測(cè)試。

(16) 在晶體管收、擴(kuò)音機(jī)中,廣泛采用推挽功率放大電路.

(17) 這些高速開(kāi)關(guān)器件取代慢，少的高效雙極晶體管，增改善的表現(xiàn)，雙方的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和伺服放大器。

(18) 另外，最有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的電池可為帶有這種晶體管的裝置配電。

(19) 硅外延面晶體管，用于音頻和通用。

(20) 該文以微波放大器的有源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，針對(duì)微波晶體管輸入與輸出阻抗相互影響的特點(diǎn)，提出了阻抗匹配的自適應(yīng)遞推設(shè)計(jì)方法。

(21) 這類器件包括光電池、光電晶體管等。

(22) 形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設(shè)備及制法和應(yīng)用。

(23) 這里提出的結(jié)構(gòu)解決了這個(gè)問(wèn)題，它利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器，這樣就不需要額外的掩膜或工藝步驟。

(24) 一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體影像傳感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔離層，以將基底區(qū)隔為光二極管感測(cè)區(qū)以及晶體管元件區(qū)。

(25) “韓國(guó)泡菜碗里這個(gè)最辣的辣椒”就是三星電子，三星電子第一個(gè)電子產(chǎn)品是笨重的晶體管收音機(jī)，而發(fā)展到現(xiàn)在，從銷量的角度去評(píng)估，它已經(jīng)是世界上最大的科技公司。

(26) 本文提出了高壓低飽和壓降GTR的最佳設(shè)計(jì)方法。分析表明，高壓低飽和壓降晶體管采用集電區(qū)穿通性設(shè)計(jì)比非穿通性設(shè)計(jì)有利。

(27) 一種其工作取決于固體材料中電或磁現(xiàn)象控制情況的元件，例如晶體管、晶體二極管和鐵氧體磁芯等。

(28) 這也是我第一印象，很高興得到你的認(rèn)同，鳳凰結(jié)合了膽機(jī)與晶體管機(jī)中最好的部分。

(29) 這種電路的每一支路中的元件，除一般電路元件外，還可能包括功率開(kāi)關(guān)晶體管、二極管或隔離變壓器的一個(gè)繞組。

(30) 如果大腦中的神經(jīng)連接變多變細(xì)，就會(huì)碰到熱力學(xué)極限，正如計(jì)算機(jī)芯片上的晶體管所遇到的問(wèn)題一樣：容易產(chǎn)生“噪音”。

(31) 另外，最有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的可為帶有這種晶體管的裝置配電。

(32) 這FET晶體管，這里用作可變電阻的電路IC2的反應(yīng)的一部分。

(33) 硅互補(bǔ)PNP晶體管。音頻放大器和驅(qū)動(dòng)器。

(34) 這臺(tái)電磁式機(jī)器一直使用到1959年，然后就被遺棄在灰塵中，因?yàn)榈搅四莻�(gè)時(shí)期，首先使用電子管、接著晶體管、然后集成電路芯片的真正電子計(jì)算機(jī)先后問(wèn)世。

(35) 本文討論了復(fù)合開(kāi)關(guān)晶體管的基本特性和開(kāi)關(guān)特性，提供了實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)和應(yīng)用電路實(shí)例。

(36) 本文根據(jù)晶體管非線性元件的特點(diǎn)，利用數(shù)學(xué)推導(dǎo)方法，從基礎(chǔ)上分析了變頻工作嘯叫的原因，并提出了消除方法。

(37) 本文在對(duì)器件的特性進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，對(duì)多輸入浮柵MOS晶體管在電壓型多值邏輯電路中的應(yīng)用進(jìn)行了研究。

(38) 電子控制單元。包括由轉(zhuǎn)速傳感器控制的開(kāi)關(guān)晶體管，用來(lái)斷開(kāi)或接通初級(jí)電路。

(39) 這就是說(shuō)，電路并不在晶體管層次進(jìn)行設(shè)計(jì)，而是在門電路、觸發(fā)器和存儲(chǔ)模塊的級(jí)別進(jìn)行設(shè)計(jì)的。

(40) 特別地，當(dāng)一個(gè)高功率電磁脈沖突然加載在晶體管上時(shí)，會(huì)導(dǎo)致晶體管的電擊穿或熱擊穿。

(41) 隨意地，如果用鍺晶體管取代硅晶體管，可使模塊工作的輸入電壓最小為0.25V。

(42) 我們必須十分重視晶體管的偏置.

(43) 它擁有5英寸的屏幕使用了23個(gè)硅鍺晶體管。

(44) 在大多數(shù)應(yīng)用中，電子管已由晶體管代替，但是在陰極射線管和一些無(wú)線電頻率電路以及音頻放大器中，仍然要使用電子管。

(45) 通常由一個(gè)電阻器或者電流源，電容器和一個(gè)“閥門”裝置，如氖燈、兩端交流開(kāi)關(guān)、單結(jié)晶體管或者耿式效應(yīng)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。

(46) 圖爾表示，晶體管必須是純粹的半導(dǎo)體才能傳載信息。

(47) 在一般的雙極晶體管，帶有電輸入和輸出端口，這定律完全適用。

(48) 器件測(cè)試結(jié)果充分證實(shí)了自對(duì)準(zhǔn)雙柵薄膜晶體管的優(yōu)越性能。

(49) 本文采用較全面的包括四個(gè)寄生雙極晶體管和MOS管的閂鎖模型，詳細(xì)分析了瞬態(tài)輻照下CMOS反相器的閂鎖效應(yīng)。

(50) 比較了適用于甲類工作和適用丙類工作的微波功率雙極晶體管的差異，并對(duì)這些差異提出了物理解釋。

(51) 舉例說(shuō)明，20兆赫茲的峰點(diǎn)是鉗位過(guò)程結(jié)束后主要由場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸出電容和變壓器漏感引起的寄生振蕩產(chǎn)生的。

(52) 其次，對(duì)提高有機(jī)薄膜晶體管的電學(xué)性能的研究。

(53) 該同步機(jī)以FPGA，與集成電路、晶體管分立元件相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入脈沖觸發(fā)轉(zhuǎn)換、脈沖成形以及驅(qū)動(dòng)輸出，最終產(chǎn)生多路同步觸發(fā)信號(hào)。

(54) 日本最大的產(chǎn)業(yè)不是造船業(yè)，不是珍珠養(yǎng)殖業(yè)，亦不是晶體管收音機(jī)或攝像機(jī)生產(chǎn)業(yè)，而是娛樂(lè)業(yè)。

(55) 它還集成了兩個(gè)內(nèi)部低飽和PNP晶體管,措置雙溝道充電性能.

(56) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及制造場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法。

(57) 新型晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間縮短了三分之二。

(58) 在半導(dǎo)體收音機(jī)中晶體管代替了真空管.

(59) 晶體管有三個(gè)電極,即發(fā)射極,基極和集電極.

(60) 金屬鍵合線互連是射頻大功率晶體管內(nèi)匹配技術(shù)中的關(guān)鍵手段。

(61) 光耦，光電晶體管輸出，基地連接。

(62) R1和Q1的門源極電容決定了晶體管的關(guān)閉時(shí)間.

(63) 文中從單電子晶體管微觀哈密頓量出發(fā)，推導(dǎo)基于微觀參量表征的單電子器件輸運(yùn)特性公式及隧道結(jié)電阻表示式。

(64) 介紹一個(gè)實(shí)用的晶體管開(kāi)關(guān)電路，用它能夠較準(zhǔn)確地測(cè)定電容和介電常量。

(65) 從微波晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管管芯的單向化模型出發(fā),給出了對(duì)微波寬帶放大器的不等波紋函數(shù)型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)綜合方法.

(66) 然而，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的快速進(jìn)步，主要得益于新型有機(jī)半導(dǎo)體材料方面的研究進(jìn)展。

(67) 討論了雙極性晶體管雪崩的工作原理，分析了采用級(jí)聯(lián)雙極性晶體管結(jié)構(gòu)的超寬帶極窄脈沖發(fā)生器的電路。

(68) 利用定時(shí)器NE556和程控單結(jié)晶體管，設(shè)計(jì)了一種新型多路脈沖分配器。

(69) 結(jié)果表明：在輻照的劑量率范圍內(nèi)，無(wú)論是國(guó)產(chǎn)還是進(jìn)口的雙極晶體管，都有明顯的低劑量率輻照損傷增強(qiáng)現(xiàn)象，且NPN管比PNP管的明顯。

(70) 比如，在1975年，數(shù)字電路用的是晶體管綜合線路，但到了1985年，數(shù)字電路就變成微處理器設(shè)計(jì)了。

(71) 在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同時(shí)，來(lái)對(duì)MOS晶體管的溫度相關(guān)性進(jìn)行補(bǔ)償。

(72) 微晶體管利用背板在屏幕上顯示各個(gè)彩色像素，在過(guò)去20年里，由于背板技術(shù)的革新，液晶顯示器刷屏的速度得以提高。

(73) 采用多晶硅發(fā)射區(qū)和基區(qū)重?fù)诫s技術(shù)，獲得了可與CMOS結(jié)構(gòu)兼容，基區(qū)電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

(74) 本文對(duì)得到的結(jié)論給出了合理解釋，以期未來(lái)能以此為依據(jù)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)、改變外電路形式，從而提高晶體管對(duì)電磁脈沖耐受性。

(75) 他在我們學(xué)校附的晶體管收音機(jī)廠工作.

(76) 本文介紹一種分析非晶硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管靜態(tài)特性的非模型方法。

(77) 晶體管的一項(xiàng)特別引人注意的應(yīng)用是在助聽(tīng)器方面.

(78) 這種新晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間將延長(zhǎng)三分之二。

(79) 其課題在于，針對(duì)氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。

(80) 多晶硅薄膜晶體管以其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)在液晶顯示領(lǐng)域中有著重要位置。

(81) 逆變器采用絕緣柵雙極晶體管模塊制造。

(82) 一般用途低級(jí)別的放大器和開(kāi)關(guān)晶體管。

(83) 晶體管放大電路擁有一個(gè)防震二極管以防止由電線長(zhǎng)度引起的自感應(yīng)現(xiàn)象，此防震二極管連接在2個(gè)晶體管金屬絲接頭上。

(84) 該穩(wěn)壓系統(tǒng)的關(guān)鍵在于控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，及開(kāi)關(guān)晶體管的選擇及應(yīng)用。

(85) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，特別是雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，及其制造方法。

(86) 絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強(qiáng)模式，高速開(kāi)關(guān)。

(87) 硅互補(bǔ)PNP晶體管。通用輸出和音頻放大器的驅(qū)動(dòng)程序。

(88) 此外，還介紹一個(gè)小型通用程序，它能對(duì)一些定向耦合器、衡晶體管放大器以及電調(diào)衰減器等進(jìn)行分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)。

(89) 本文介紹了晶體管的雪崩原理，通過(guò)張弛振蕩器、崩振蕩器、音頻信號(hào)發(fā)生器和閃光節(jié)拍器四個(gè)例子介紹了雪崩晶體管的應(yīng)用。

(90) 然后，在薄膜晶體管面板上的不良像素區(qū)域沉積或者印刷不透明物質(zhì)。

(91) 每個(gè)晶體管至少有三個(gè)電極。

(92) 達(dá)林頓晶體管增益大、可靠性高，尤其在大功率應(yīng)用中更加簡(jiǎn)便。

(93) 這導(dǎo)致主要產(chǎn)品是晶體管類擴(kuò)音機(jī)，當(dāng)然我們不排斥完全電池供電的膽機(jī)設(shè)備，雖然膽機(jī)電池供電重量和體積太大，對(duì)大多數(shù)人也不劃算。

(94) 該電路由一集成運(yùn)算放大器及多端輸出的雙極晶體管電流鏡構(gòu)成。

(95) 本文從包括埋層影響的集區(qū)雜質(zhì)分布出發(fā)，求出了寄生PNP晶體管的共基極電流放大系數(shù)。

(96) 描述了雙極型晶體管及其制造.

(97) 文章回顧了分子器件的發(fā)展歷程和研究現(xiàn)狀，并重點(diǎn)對(duì)分子導(dǎo)線、分子開(kāi)關(guān)、分子整流器和分子晶體管等器件進(jìn)行了介紹。

(98) 在硬開(kāi)關(guān)里場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)啟波形拐點(diǎn)并不和漏源極電壓值同步。

(99) 一群科學(xué)家們成功地創(chuàng)造出單分子晶體管。

(100) 電子管和晶體管能放大輸入的信號(hào).

(101) 為了用不同開(kāi)關(guān)電源設(shè)備代替Q1，例如NPN雙極晶體管或繼電器，指定Q2供給開(kāi)關(guān)設(shè)備所需的控制電流。

(102) 這種新晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間將縮短三分之二。

(103) 固體物理學(xué)為我們帶來(lái)了晶體管。

(104) 在卡恩斯電路中，晶體管、電容器和可變電阻器是三個(gè)基本元件。

(105) 當(dāng)今市面上最好的芯片使用32納米的面晶體管，而下一代芯片將使用22納米晶體管。

(106) 本文敘述了發(fā)生在單結(jié)晶體管二階受迫振蕩電路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌現(xiàn)象，并討論了這些現(xiàn)象的發(fā)生機(jī)理。

(107) 本文提出互補(bǔ)橫向絕緣柵雙極晶體管CLIGBT的一種網(wǎng)絡(luò)模型。

(108) 顧名思義，晶體管常用作混頻器，可以輸出混頻信號(hào)，并且是許多電子通訊系統(tǒng)的基本元件。

(108) 高考升學(xué)網(wǎng)祝您造句快樂(lè),天天進(jìn)步!

(109) 乙方應(yīng)嚴(yán)格按照甲方的設(shè)計(jì)將甲方供給的零部件裝配成晶體管收音機(jī)，不得變動(dòng)。

(110) 幾百個(gè)微細(xì)的晶體管、晶片和其他電子零件被機(jī)械人“拾起并定位”到每塊電子版上，多支機(jī)械手臂一起快速舞動(dòng)，讓人目不暇接。

(111) 富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)后，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。

(112) 該組研究人員成功地在每張紙幣上印上100層有機(jī)超薄型薄膜晶體管，足以執(zhí)行簡(jiǎn)單的計(jì)算任務(wù)。

(113) 復(fù)合晶體管，復(fù)合晶體管對(duì)，電流方器和CMOS模擬乘法器。

(114) 本發(fā)明能夠抑制氧化物半導(dǎo)體層中晶格缺陷的形成并抑制濕氣的進(jìn)入，從而提高薄膜晶體管的可靠性。

(115) 介紹了用萬(wàn)用表檢測(cè)集成電路塊和單結(jié)晶體管的方法。

(116) 傳統(tǒng)晶體管使用一個(gè)叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在面硅基片上的溝道中的流動(dòng)。

(117) 然而，鍺晶體管價(jià)格相對(duì)高些，所以只在需要低輸入電壓的應(yīng)用中使用。

(118) 晶體管交流毫伏表只能用于正弦電壓測(cè)量，使測(cè)量任意波形電壓受到限制。

(119) 基極晶體管中發(fā)射極和.集..電.極之間的區(qū)域.

(120) 硅互補(bǔ)PNP晶體管。音頻放大器的輸出。